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大类:8 文化教育(71492) 小类:59 微电子词语(707) (字数、拼音排序)
| 摆幅 | 版图 | 倍增 | 本征 | 闭锁 | 波导 | 波数 | 捕获 | 布线 | 参数 |
| 层错 | 衬底 | 驰豫 | 穿交 | 穿通 | 串联 | 串行 | 单结 | 单晶 | 导带 |
| 导体 | 电导 | 电感 | 电极 | 电离 | 电容 | 抖动 | 对准 | 钝化 | 多晶 |
| 俄歇 | 反馈 | 反型 | 放电 | 费米 | 分贝 | 分凝 | 封装 | 浮栅 | 幅度 |
| 辐照 | 负阻 | 复合 | 坩埚 | 高斯 | 工艺 | 功放 | 功耗 | 共漏 | 共溶 |
| 共源 | 共栅 | 管脚 | 光刻 | 光子 | 过冲 | 过载 | 横向 | 互连 | 击穿 |
| 基极 | 基矢 | 激活 | 激子 | 级联 | 极性 | 夹断 | 价带 | 价键 | 减速 |
| 溅射 | 鉴频 | 鉴相 | 键合 | 交迭 | 截止 | 介电 | 界面 | 禁带 | 晶胞 |
| 晶格 | 晶面 | 晶向 | 开路 | 空带 | 空位 | 空穴 | 跨导 | 扩频 | 离子 |
| 李奇 | 临界 | 裸片 | 码型 | 埋沟 | 满带 | 内建 | 南开 | 能带 | 能态 |
| 耦合 | 匹配 | 偏差 | 偏置 | 平带 | 汽相 | 箝位 | 球面 | 曲率 | 缺陷 |
| 热沉 | 热阻 | 容差 | 散射 | 扇出 | 扇入 | 射线 | 升华 | 失配 | 失锁 |
| 势阱 | 势垒 | 受控 | 受主 | 双极 | 瞬态 | 隧穿 | 探针 | 陶瓷 | 套刻 |
| 推挽 | 退火 | 椭球 | 外延 | 弯曲 | 位错 | 下标 | 相移 | 谐振 | 芯片 |
| 眼图 | 氧化 | 液氮 | 译码 | 阴极 | 银须 | 应力 | 阈值 | 元胞 | 源极 |
| 跃迁 | 运放 | 增益 | 展频 | 张量 | 主轴 | 注入 | 柱面 | 籽晶 | 子带 |
| 自旋 | 纵向 | 组态 | 暗电流 | 白噪声 | 半导体 | 半速率 | 饱和区 | 保护环 | 变容管 |
| 变阻器 | 波特图 | 布里渊 | 布洛赫 | 掺杂剂 | 超晶格 | 传感器 | 传输器 | 传输线 | 次平面 |
| 氮化硅 | 导带态 | 倒核子 | 等能面 | 点接触 | 电导率 | 电荷泵 | 电离能 | 电流舵 | 电流镜 |
| 电流模 | 电迁移 | 电子伏 | 电子能 | 电子气 | 电阻率 | 调制器 | 短沟道 | 多晶硅 | 二分频 |
| 二极管 | 发射极 | 反掺杂 | 反相器 | 放大器 | 非本征 | 非晶体 | 非平衡 | 费米势 | 负反馈 |
| 负载线 | 隔离岛 | 工作点 | 功函数 | 功率谱 | 共价键 | 固溶度 | 光猝灭 | 光电池 | 光电导 |
| 光通信 | 光跃迁 | 归一化 | 过渡区 | 耗尽层 | 耗尽区 | 划片格 | 积累层 | 积累区 | 基准点 |
| 激发能 | 激发态 | 激活能 | 集电极 | 寄存器 | 价带顶 | 价电子 | 简并度 | 简立方 | 键合点 |
| 接触孔 | 结侧壁 | 结隔离 | 结间距 | 解理面 | 晶闸管 | 绝缘硅 | 绝缘体 | 绝缘栅 | 可靠性 |
| 可控硅 | 刻蚀剂 | 快恢复 | 扩散率 | 扩音器 | 蓝宝石 | 离子束 | 量子化 | 灵敏度 | 漏电流 |
| 铝钝化 | 洛沦兹 | 模拟板 | 内插法 | 偶极畴 | 迁移率 | 全速率 | 热导率 | 热激发 | 热平衡 |
| 热氧化 | 热运动 | 散热器 | 上跳变 | 射随器 | 砷化钾 | 生长结 | 声子谱 | 势垒层 | 双扩散 |
| 锁相环 | 态密度 | 碳化硅 | 体复合 | 体吸收 | 替位式 | 突变结 | 外推法 | 外延层 | 外延片 |
| 微电子 | 伪差分 | 伪随机 | 卫星谷 | 稳压管 | 线性度 | 肖特基 | 信噪比 | 悬挂键 | 选择性 |
| 薛定谔 | 压焊点 | 亚阈值 | 掩模组 | 掩膜板 | 氧化物 | 异质结 | 膺势发 | 源随器 | 载流子 |
| 增益级 | 折射率 | 真值表 | 振荡器 | 整流器 | 志散射 | 重掺杂 | 周期表 | 主平面 | 转换器 |
| 自对准 | 自扩散 | 倍增因子 | 本底掺杂 | 闭环带宽 | 边界条件 | 边墙电容 | 扁平封装 | 并行数据 | 波尔兹曼 |
| 泊松方程 | 薄层电阻 | 薄膜混合 | 薄膜晶体 | 补偿运放 | 补偿杂质 | 捕获范围 | 捕获时间 | 布局布线 | 布里渊区 |
| 采样电路 | 差分运放 | 差模输入 | 掺杂浓度 | 产生复合 | 场氧化层 | 驰豫时间 | 传输函数 | 传输延时 | 串并转换 |
| 串联电感 | 串行数据 | 存储时间 | 待命状态 | 单向开关 | 导纳允带 | 德拜长度 | 德布洛意 | 等离子体 | 等效电路 |
| 狄氏效应 | 电荷共享 | 电荷守恒 | 电流密度 | 电流漂移 | 电流取样 | 电流失配 | 电阻增量 | 淀积薄膜 | 淀积工艺 |
| 动态范围 | 动态属性 | 动态阻抗 | 渡越时间 | 钝化界面 | 多路复用 | 俄歇过程 | 厄利效应 | 二氧化硅 | 反向工作 |
| 反向偏置 | 非挥发性 | 菲克方程 | 费米能级 | 分布电容 | 分布模型 | 分立元件 | 分子晶体 | 峰点电压 | 峰值电压 |
| 俘获截面 | 辐射保护 | 辐射加固 | 辐射损伤 | 辐照复合 | 概率密度 | 干法腐蚀 | 感应沟道 | 高场特性 | 高斯分布 |
| 各向同性 | 各向异性 | 工作偏置 | 工作周期 | 共阶跨交 | 共模输入 | 共模增益 | 共射频率 | 沟道掺杂 | 沟道电流 |
| 沟道击穿 | 沟道宽度 | 沟道缩短 | 谷间散射 | 固体电路 | 光电效应 | 光刻工艺 | 光子器件 | 过流保护 | 过压保护 |
| 耗尽接触 | 耗尽近似 | 耗尽深度 | 耗尽效应 | 厚膜技术 | 互连延时 | 化学抛光 | 环路参数 | 环路带宽 | 环路相应 |
| 缓变沟道 | 恢复时间 | 混合集成 | 霍尔效应 | 积累接触 | 基区接触 | 急变时间 | 集总模型 | 几何尺寸 | 寄生效应 |
| 寄生振荡 | 加速实验 | 建立时间 | 鉴频鉴相 | 接触电势 | 结构组态 | 介质隔离 | 进位输出 | 进位输入 | 晶格畸变 |
| 晶体缺陷 | 静态特性 | 绝对抖动 | 均匀分布 | 开环带宽 | 抗腐蚀剂 | 可动离子 | 空间电荷 | 空载时间 | 快界面态 |
| 扩频通信 | 扩散常数 | 扩散电容 | 扩散势垒 | 扩散系数 | 扩展电阻 | 扩展频谱 | 浪涌能力 | 离子刻蚀 | 离子注入 |
| 量子效应 | 铝氧化物 | 逻辑摆幅 | 螺旋电感 | 麦克斯韦 | 脉冲调制 | 蒙特卡洛 | 密勒指数 | 面心立方 | 内建电场 |
| 南开大学 | 能带间隙 | 欧姆接触 | 硼硅玻璃 | 偏置电流 | 偏置电压 | 漂移电场 | 品质因子 | 平衡多子 | 平衡少子 |
| 平面工艺 | 潜行通路 | 球形键合 | 趋肤效应 | 确定抖动 | 热载流子 | 三重扩散 | 散粒噪声 | 闪烁噪声 | 深度杂质 |
| 施主耗尽 | 湿法氧化 | 石英玻璃 | 时钟恢复 | 时钟频率 | 势垒宽度 | 寿命测试 | 受激发射 | 受激复合 | 受主原子 |
| 输出特性 | 束缚电子 | 数字电路 | 双向开关 | 瞬态仿真 | 随机抖动 | 隧道电流 | 特征阻抗 | 体心立方 | 推挽输出 |
| 微电子学 | 无源器件 | 无源元件 | 物理常数 | 下降时间 | 陷阱电荷 | 相位噪声 | 响应时间 | 谐波失真 | 雪崩击穿 |
| 雪崩激发 | 压电效应 | 掩模序号 | 有效质量 | 有源器件 | 跃迁几率 | 早期失效 | 噪声容限 | 栅氧化层 | 整流电阻 |
| 整流接触 | 正向导通 | 正向偏置 | 正向阻断 | 直接跃迁 | 直立单晶 | 中心频率 | 周期抖动 | 注入剂量 | 注入离子 |
| 转移电子 | 转移特性 | 自发发射 | 自举电路 | 阻挡接触 | 阻挡能带 | 阻尼因子 | 按比例缩小 | 本底载流子 | 本征半导体 |
| 波粒二相性 | 补偿半导体 | 掺杂半导体 | 触发器翻转 | 狄拉克分布 | 电流饱和区 | 电中性条件 | 电子级纯水 | 电子亲和势 | 电子束曝光 |
| 二进制代码 | 发光二极管 | 反应溅射源 | 俘获载流子 | 氟化氢刻蚀 | 辐射电导率 | 负温度系数 | 葛谋潘模型 | 功率晶体管 | 共模抑制比 |
| 光电二极管 | 光致抗蚀剂 | 国际单位制 | 过剩载流子 | 合金结器件 | 恒定源扩散 | 化学腐蚀法 | 环路滤波器 | 环形振荡器 | 缓变结晶粒 |
| 恢复二极管 | 寄生晶体管 | 简并半导体 | 交互式结构 | 接触式掩模 | 金属半导体 | 晶格结合力 | 晶体管老化 | 抗蚀剂掩模 | 可渗透基区 |
| 里德二极管 | 连续性方程 | 连续性条件 | 曼彻斯特码 | 密堆积结构 | 模拟比较器 | 能级深陷阱 | 平均自由程 | 平面晶体管 | 前置放大器 |
| 箝位二极管 | 闪烁存储器 | 少数载流子 | 射频微电子 | 深施主能级 | 深受主能级 | 时钟触发器 | 时钟发生器 | 数据转换器 | 双极晶体管 |
| 太阳能电池 | 体立心结构 | 铜互连系统 | 线性鉴相器 | 肖特基接触 | 肖特基势垒 | 芯片成品率 | 行为级模型 | 延时锁相环 | 氧化层钝化 |
| 异质结结构 | 铟锡氧化物 | 隐埋扩散区 | 印制电路板 | 有机半导体 | 有源放大区 | 余误差函数 | 元素半导体 | 运算放大器 | 杂质半导体 |
| 载波进位位 | 增强型模式 | 主从触发器 | 准费米能级 | 爱因斯坦关系 | 场效应晶体管 | 单位增益频率 | 电荷泵锁相环 | 电子俘获中心 | 定制集成电路 |
| 发射极耦合对 | 非接触式掩模 | 非线性鉴相器 | 辐射加固器件 | 辐射通量密度 | 概率密度函数 | 高斯掺杂分布 | 光耦合隔离器 | 化合物半导体 | 化学机械抛光 |
| 基区渡越时间 | 基区宽度调制 | 基区扩展效应 | 基区输运系数 | 集成注入逻辑 | 结型场效应管 | 晶片波动方程 | 聚合物半导体 | 可擦取存储器 | 脉冲宽度调制 |
| 频率漂移噪声 | 频率响应函数 | 平均工作时间 | 三角波发生器 | 梳状发射极结 | 输出电压摆幅 | 输入失调电压 | 速度功耗乘积 | 温差电动势率 | 肖克莱二极管 |
| 永久存储电路 | 有源区有源元 | 质量守恒定律 | 周期周期抖动 | 闭环增益集电极 | 发射极集边效应 | 发射极耦合逻辑 | 费米狄拉克分布 | 过度金属硅化物 | 互补达林顿电路 |
| 镜象力碰撞电离 | 偶极层直接耦合 | 切克劳斯基技术 | 时钟与数据恢复 | 双列直插式封装 | 微分电容扩散结 | 卧式外延反应器 | 直接带隙半导体 | 自举射极跟随器 | 阻抗不完整结构 |
| 电荷电荷补偿效应 | 二元化合物半导体 | 液相外延生长技术 | 异质结双极型晶体 | 一次性电可擦除只读存储器 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 | 互补金属氧化物半导体场效应晶体管 |
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滇ICP备17008350号-1
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