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单列(管理用)
大类：8 文化教育(71492) 小类：59 微电子词语(707) （编号排序）
| 286318 | 摆幅 |
| 286319 | 版图 |
| 286320 | 倍增 |
| 286321 | 本征 |
| 286322 | 闭锁 |
| 286323 | 波导 |
| 286324 | 波数 |
| 286325 | 捕获 |
| 286326 | 布线 |
| 286327 | 参数 |
| 286328 | 层错 |
| 286329 | 衬底 |
| 286330 | 驰豫 |
| 286331 | 穿交 |
| 286332 | 穿通 |
| 286333 | 串联 |
| 286334 | 串行 |
| 286335 | 单结 |
| 286336 | 单晶 |
| 286337 | 导带 |
| 286338 | 导体 |
| 286339 | 电导 |
| 286340 | 电感 |
| 286341 | 电极 |
| 286342 | 电离 |
| 286343 | 电容 |
| 286344 | 抖动 |
| 286345 | 对准 |
| 286346 | 钝化 |
| 286347 | 多晶 |
| 286348 | 俄歇 |
| 286349 | 反馈 |
| 286350 | 反型 |
| 286351 | 放电 |
| 286352 | 费米 |
| 286353 | 分贝 |
| 286354 | 分凝 |
| 286355 | 封装 |
| 286356 | 浮栅 |
| 286357 | 幅度 |
| 286358 | 辐照 |
| 286359 | 负阻 |
| 286360 | 复合 |
| 286361 | 坩埚 |
| 286362 | 高斯 |
| 286363 | 工艺 |
| 286364 | 功放 |
| 286365 | 功耗 |
| 286366 | 共漏 |
| 286367 | 共溶 |
| 286368 | 共源 |
| 286369 | 共栅 |
| 286370 | 管脚 |
| 286371 | 光刻 |
| 286372 | 光子 |
| 286373 | 过冲 |
| 286374 | 过载 |
| 286375 | 横向 |
| 286376 | 互连 |
| 286377 | 击穿 |
| 286378 | 基极 |
| 286379 | 基矢 |
| 286380 | 激活 |
| 286381 | 激子 |
| 286382 | 级联 |
| 286383 | 极性 |
| 286384 | 夹断 |
| 286385 | 价带 |
| 286386 | 价键 |
| 286387 | 减速 |
| 286388 | 溅射 |
| 286389 | 鉴频 |
| 286390 | 鉴相 |
| 286391 | 键合 |
| 286392 | 交迭 |
| 286393 | 截止 |
| 286394 | 介电 |
| 286395 | 界面 |
| 286396 | 禁带 |
| 286397 | 晶胞 |
| 286398 | 晶格 |
| 286399 | 晶面 |
| 286400 | 晶向 |
| 286401 | 开路 |
| 286402 | 空带 |
| 286403 | 空位 |
| 286404 | 空穴 |
| 286405 | 跨导 |
| 286406 | 扩频 |
| 286407 | 离子 |
| 286408 | 李奇 |
| 286409 | 临界 |
| 286410 | 裸片 |
| 286411 | 码型 |
| 286412 | 埋沟 |
| 286413 | 满带 |
| 286414 | 内建 |
| 286415 | 南开 |
| 286416 | 能带 |
| 286417 | 能态 |
| 286418 | 耦合 |
| 286419 | 匹配 |
| 286420 | 偏差 |
| 286421 | 偏置 |
| 286422 | 平带 |
| 286423 | 汽相 |
| 286424 | 箝位 |
| 286425 | 球面 |
| 286426 | 曲率 |
| 286427 | 缺陷 |
| 286428 | 热沉 |
| 286429 | 热阻 |
| 286430 | 容差 |
| 286431 | 散射 |
| 286432 | 扇出 |
| 286433 | 扇入 |
| 286434 | 射线 |
| 286435 | 升华 |
| 286436 | 失配 |
| 286437 | 失锁 |
| 286438 | 势阱 |
| 286439 | 势垒 |
| 286440 | 受控 |
| 286441 | 受主 |
| 286442 | 双极 |
| 286443 | 瞬态 |
| 286444 | 隧穿 |
| 286445 | 探针 |
| 286446 | 陶瓷 |
| 286447 | 套刻 |
| 286448 | 推挽 |
| 286449 | 退火 |
| 286450 | 椭球 |
| 286451 | 外延 |
| 286452 | 弯曲 |
| 286453 | 位错 |
| 286454 | 下标 |
| 286455 | 相移 |
| 286456 | 谐振 |
| 286457 | 芯片 |
| 286458 | 眼图 |
| 286459 | 氧化 |
| 286460 | 液氮 |
| 286461 | 译码 |
| 286462 | 阴极 |
| 286463 | 银须 |
| 286464 | 应力 |
| 286465 | 阈值 |
| 286466 | 元胞 |
| 286467 | 源极 |
| 286468 | 跃迁 |
| 286469 | 运放 |
| 286470 | 增益 |
| 286471 | 展频 |
| 286472 | 张量 |
| 286473 | 主轴 |
| 286474 | 注入 |
| 286475 | 柱面 |
| 286476 | 籽晶 |
| 286477 | 子带 |
| 286478 | 自旋 |
| 286479 | 纵向 |
| 286480 | 组态 |
| 286481 | 暗电流 |
| 286482 | 白噪声 |
| 286483 | 半导体 |
| 286484 | 半速率 |
| 286485 | 饱和区 |
| 286486 | 保护环 |
| 286487 | 变容管 |
| 286488 | 变阻器 |
| 286489 | 波特图 |
| 286490 | 布里渊 |
| 286491 | 布洛赫 |
| 286492 | 掺杂剂 |
| 286493 | 超晶格 |
| 286494 | 传感器 |
| 286495 | 传输器 |
| 286496 | 传输线 |
| 286497 | 次平面 |
| 286498 | 氮化硅 |
| 286499 | 导带态 |
| 286500 | 倒核子 |
| 286501 | 等能面 |
| 286502 | 点接触 |
| 286503 | 电导率 |
| 286504 | 电荷泵 |
| 286505 | 电离能 |
| 286506 | 电流舵 |
| 286507 | 电流镜 |
| 286508 | 电流模 |
| 286509 | 电迁移 |
| 286510 | 电子伏 |
| 286511 | 电子能 |
| 286512 | 电子气 |
| 286513 | 电阻率 |
| 286514 | 调制器 |
| 286515 | 短沟道 |
| 286516 | 多晶硅 |
| 286517 | 二分频 |
| 286518 | 二极管 |
| 286519 | 发射极 |
| 286520 | 反掺杂 |
| 286521 | 反相器 |
| 286522 | 放大器 |
| 286523 | 非本征 |
| 286524 | 非晶体 |
| 286525 | 非平衡 |
| 286526 | 费米势 |
| 286527 | 负反馈 |
| 286528 | 负载线 |
| 286529 | 隔离岛 |
| 286530 | 工作点 |
| 286531 | 功函数 |
| 286532 | 功率谱 |
| 286533 | 共价键 |
| 286534 | 固溶度 |
| 286535 | 光猝灭 |
| 286536 | 光电池 |
| 286537 | 光电导 |
| 286538 | 光通信 |
| 286539 | 光跃迁 |
| 286540 | 归一化 |
| 286541 | 过渡区 |
| 286542 | 耗尽层 |
| 286543 | 耗尽区 |
| 286544 | 划片格 |
| 286545 | 积累层 |
| 286546 | 积累区 |
| 286547 | 基准点 |
| 286548 | 激发能 |
| 286549 | 激发态 |
| 286550 | 激活能 |
| 286551 | 集电极 |
| 286552 | 寄存器 |
| 286553 | 价带顶 |
| 286554 | 价电子 |
| 286555 | 简并度 |
| 286556 | 简立方 |
| 286557 | 键合点 |
| 286558 | 接触孔 |
| 286559 | 结侧壁 |
| 286560 | 结隔离 |
| 286561 | 结间距 |
| 286562 | 解理面 |
| 286563 | 晶闸管 |
| 286564 | 绝缘硅 |
| 286565 | 绝缘体 |
| 286566 | 绝缘栅 |
| 286567 | 可靠性 |
| 286568 | 可控硅 |
| 286569 | 刻蚀剂 |
| 286570 | 快恢复 |
| 286571 | 扩散率 |
| 286572 | 扩音器 |
| 286573 | 蓝宝石 |
| 286574 | 离子束 |
| 286575 | 量子化 |
| 286576 | 灵敏度 |
| 286577 | 漏电流 |
| 286578 | 铝钝化 |
| 286579 | 洛沦兹 |
| 286580 | 模拟板 |
| 286581 | 内插法 |
| 286582 | 偶极畴 |
| 286583 | 迁移率 |
| 286584 | 全速率 |
| 286585 | 热导率 |
| 286586 | 热激发 |
| 286587 | 热平衡 |
| 286588 | 热氧化 |
| 286589 | 热运动 |
| 286590 | 散热器 |
| 286591 | 上跳变 |
| 286592 | 射随器 |
| 286593 | 砷化钾 |
| 286594 | 生长结 |
| 286595 | 声子谱 |
| 286596 | 势垒层 |
| 286597 | 双扩散 |
| 286598 | 锁相环 |
| 286599 | 态密度 |
| 286600 | 碳化硅 |
| 286601 | 体复合 |
| 286602 | 体吸收 |
| 286603 | 替位式 |
| 286604 | 突变结 |
| 286605 | 外推法 |
| 286606 | 外延层 |
| 286607 | 外延片 |
| 286608 | 微电子 |
| 286609 | 伪差分 |
| 286610 | 伪随机 |
| 286611 | 卫星谷 |
| 286612 | 稳压管 |
| 286613 | 线性度 |
| 286614 | 肖特基 |
| 286615 | 信噪比 |
| 286616 | 悬挂键 |
| 286617 | 选择性 |
| 286618 | 薛定谔 |
| 286619 | 压焊点 |
| 286620 | 亚阈值 |
| 286621 | 掩模组 |
| 286622 | 掩膜板 |
| 286623 | 氧化物 |
| 286624 | 异质结 |
| 286625 | 膺势发 |
| 286626 | 源随器 |
| 286627 | 载流子 |
| 286628 | 增益级 |
| 286629 | 折射率 |
| 286630 | 真值表 |
| 286631 | 振荡器 |
| 286632 | 整流器 |
| 286633 | 志散射 |
| 286634 | 重掺杂 |
| 286635 | 周期表 |
| 286636 | 主平面 |
| 286637 | 转换器 |
| 286638 | 自对准 |
| 286639 | 自扩散 |
| 286640 | 倍增因子 |
| 286641 | 本底掺杂 |
| 286642 | 闭环带宽 |
| 286643 | 边界条件 |
| 286644 | 边墙电容 |
| 286645 | 扁平封装 |
| 286646 | 并行数据 |
| 286647 | 波尔兹曼 |
| 286648 | 泊松方程 |
| 286649 | 薄层电阻 |
| 286650 | 薄膜混合 |
| 286651 | 薄膜晶体 |
| 286652 | 补偿运放 |
| 286653 | 补偿杂质 |
| 286654 | 捕获范围 |
| 286655 | 捕获时间 |
| 286656 | 布局布线 |
| 286657 | 布里渊区 |
| 286658 | 采样电路 |
| 286659 | 差分运放 |
| 286660 | 差模输入 |
| 286661 | 掺杂浓度 |
| 286662 | 产生复合 |
| 286663 | 场氧化层 |
| 286664 | 驰豫时间 |
| 286665 | 传输函数 |
| 286666 | 传输延时 |
| 286667 | 串并转换 |
| 286668 | 串联电感 |
| 286669 | 串行数据 |
| 286670 | 存储时间 |
| 286671 | 待命状态 |
| 286672 | 单向开关 |
| 286673 | 导纳允带 |
| 286674 | 德拜长度 |
| 286675 | 德布洛意 |
| 286676 | 等离子体 |
| 286677 | 等效电路 |
| 286678 | 狄氏效应 |
| 286679 | 电荷共享 |
| 286680 | 电荷守恒 |
| 286681 | 电流密度 |
| 286682 | 电流漂移 |
| 286683 | 电流取样 |
| 286684 | 电流失配 |
| 286685 | 电阻增量 |
| 286686 | 淀积薄膜 |
| 286687 | 淀积工艺 |
| 286688 | 动态范围 |
| 286689 | 动态属性 |
| 286690 | 动态阻抗 |
| 286691 | 渡越时间 |
| 286692 | 钝化界面 |
| 286693 | 多路复用 |
| 286694 | 俄歇过程 |
| 286695 | 厄利效应 |
| 286696 | 二氧化硅 |
| 286697 | 反向工作 |
| 286698 | 反向偏置 |
| 286699 | 非挥发性 |
| 286700 | 菲克方程 |
| 286701 | 费米能级 |
| 286702 | 分布电容 |
| 286703 | 分布模型 |
| 286704 | 分立元件 |
| 286705 | 分子晶体 |
| 286706 | 峰点电压 |
| 286707 | 峰值电压 |
| 286708 | 俘获截面 |
| 286709 | 辐射保护 |
| 286710 | 辐射加固 |
| 286711 | 辐射损伤 |
| 286712 | 辐照复合 |
| 286713 | 概率密度 |
| 286714 | 干法腐蚀 |
| 286715 | 感应沟道 |
| 286716 | 高场特性 |
| 286717 | 高斯分布 |
| 286718 | 各向同性 |
| 286719 | 各向异性 |
| 286720 | 工作偏置 |
| 286721 | 工作周期 |
| 286722 | 共阶跨交 |
| 286723 | 共模输入 |
| 286724 | 共模增益 |
| 286725 | 共射频率 |
| 286726 | 沟道掺杂 |
| 286727 | 沟道电流 |
| 286728 | 沟道击穿 |
| 286729 | 沟道宽度 |
| 286730 | 沟道缩短 |
| 286731 | 谷间散射 |
| 286732 | 固体电路 |
| 286733 | 光电效应 |
| 286734 | 光刻工艺 |
| 286735 | 光子器件 |
| 286736 | 过流保护 |
| 286737 | 过压保护 |
| 286738 | 耗尽接触 |
| 286739 | 耗尽近似 |
| 286740 | 耗尽深度 |
| 286741 | 耗尽效应 |
| 286742 | 厚膜技术 |
| 286743 | 互连延时 |
| 286744 | 化学抛光 |
| 286745 | 环路参数 |
| 286746 | 环路带宽 |
| 286747 | 环路相应 |
| 286748 | 缓变沟道 |
| 286749 | 恢复时间 |
| 286750 | 混合集成 |
| 286751 | 霍尔效应 |
| 286752 | 积累接触 |
| 286753 | 基区接触 |
| 286754 | 急变时间 |
| 286755 | 集总模型 |
| 286756 | 几何尺寸 |
| 286757 | 寄生效应 |
| 286758 | 寄生振荡 |
| 286759 | 加速实验 |
| 286760 | 建立时间 |
| 286761 | 鉴频鉴相 |
| 286762 | 接触电势 |
| 286763 | 结构组态 |
| 286764 | 介质隔离 |
| 286765 | 进位输出 |
| 286766 | 进位输入 |
| 286767 | 晶格畸变 |
| 286768 | 晶体缺陷 |
| 286769 | 静态特性 |
| 286770 | 绝对抖动 |
| 286771 | 均匀分布 |
| 286772 | 开环带宽 |
| 286773 | 抗腐蚀剂 |
| 286774 | 可动离子 |
| 286775 | 空间电荷 |
| 286776 | 空载时间 |
| 286777 | 快界面态 |
| 286778 | 扩频通信 |
| 286779 | 扩散常数 |
| 286780 | 扩散电容 |
| 286781 | 扩散势垒 |
| 286782 | 扩散系数 |
| 286783 | 扩展电阻 |
| 286784 | 扩展频谱 |
| 286785 | 浪涌能力 |
| 286786 | 离子刻蚀 |
| 286787 | 离子注入 |
| 286788 | 量子效应 |
| 286789 | 铝氧化物 |
| 286790 | 逻辑摆幅 |
| 286791 | 螺旋电感 |
| 286792 | 麦克斯韦 |
| 286793 | 脉冲调制 |
| 286794 | 蒙特卡洛 |
| 286795 | 密勒指数 |
| 286796 | 面心立方 |
| 286797 | 内建电场 |
| 286798 | 南开大学 |
| 286799 | 能带间隙 |
| 286800 | 欧姆接触 |
| 286801 | 硼硅玻璃 |
| 286802 | 偏置电流 |
| 286803 | 偏置电压 |
| 286804 | 漂移电场 |
| 286805 | 品质因子 |
| 286806 | 平衡多子 |
| 286807 | 平衡少子 |
| 286808 | 平面工艺 |
| 286809 | 潜行通路 |
| 286810 | 球形键合 |
| 286811 | 趋肤效应 |
| 286812 | 确定抖动 |
| 286813 | 热载流子 |
| 286814 | 三重扩散 |
| 286815 | 散粒噪声 |
| 286816 | 闪烁噪声 |
| 286817 | 深度杂质 |
| 286818 | 施主耗尽 |
| 286819 | 湿法氧化 |
| 286820 | 石英玻璃 |
| 286821 | 时钟恢复 |
| 286822 | 时钟频率 |
| 286823 | 势垒宽度 |
| 286824 | 寿命测试 |
| 286825 | 受激发射 |
| 286826 | 受激复合 |
| 286827 | 受主原子 |
| 286828 | 输出特性 |
| 286829 | 束缚电子 |
| 286830 | 数字电路 |
| 286831 | 双向开关 |
| 286832 | 瞬态仿真 |
| 286833 | 随机抖动 |
| 286834 | 隧道电流 |
| 286835 | 特征阻抗 |
| 286836 | 体心立方 |
| 286837 | 推挽输出 |
| 286838 | 微电子学 |
| 286839 | 无源器件 |
| 286840 | 无源元件 |
| 286841 | 物理常数 |
| 286842 | 下降时间 |
| 286843 | 陷阱电荷 |
| 286844 | 相位噪声 |
| 286845 | 响应时间 |
| 286846 | 谐波失真 |
| 286847 | 雪崩击穿 |
| 286848 | 雪崩激发 |
| 286849 | 压电效应 |
| 286850 | 掩模序号 |
| 286851 | 有效质量 |
| 286852 | 有源器件 |
| 286853 | 跃迁几率 |
| 286854 | 早期失效 |
| 286855 | 噪声容限 |
| 286856 | 栅氧化层 |
| 286857 | 整流电阻 |
| 286858 | 整流接触 |
| 286859 | 正向导通 |
| 286860 | 正向偏置 |
| 286861 | 正向阻断 |
| 286862 | 直接跃迁 |
| 286863 | 直立单晶 |
| 286864 | 中心频率 |
| 286865 | 周期抖动 |
| 286866 | 注入剂量 |
| 286867 | 注入离子 |
| 286868 | 转移电子 |
| 286869 | 转移特性 |
| 286870 | 自发发射 |
| 286871 | 自举电路 |
| 286872 | 阻挡接触 |
| 286873 | 阻挡能带 |
| 286874 | 阻尼因子 |
| 286875 | 按比例缩小 |
| 286876 | 本底载流子 |
| 286877 | 本征半导体 |
| 286878 | 波粒二相性 |
| 286879 | 补偿半导体 |
| 286880 | 掺杂半导体 |
| 286881 | 触发器翻转 |
| 286882 | 狄拉克分布 |
| 286883 | 电流饱和区 |
| 286884 | 电中性条件 |
| 286885 | 电子级纯水 |
| 286886 | 电子亲和势 |
| 286887 | 电子束曝光 |
| 286888 | 二进制代码 |
| 286889 | 发光二极管 |
| 286890 | 反应溅射源 |
| 286891 | 俘获载流子 |
| 286892 | 氟化氢刻蚀 |
| 286893 | 辐射电导率 |
| 286894 | 负温度系数 |
| 286895 | 葛谋潘模型 |
| 286896 | 功率晶体管 |
| 286897 | 共模抑制比 |
| 286898 | 光电二极管 |
| 286899 | 光致抗蚀剂 |
| 286900 | 国际单位制 |
| 286901 | 过剩载流子 |
| 286902 | 合金结器件 |
| 286903 | 恒定源扩散 |
| 286904 | 化学腐蚀法 |
| 286905 | 环路滤波器 |
| 286906 | 环形振荡器 |
| 286907 | 缓变结晶粒 |
| 286908 | 恢复二极管 |
| 286909 | 寄生晶体管 |
| 286910 | 简并半导体 |
| 286911 | 交互式结构 |
| 286912 | 接触式掩模 |
| 286913 | 金属半导体 |
| 286914 | 晶格结合力 |
| 286915 | 晶体管老化 |
| 286916 | 抗蚀剂掩模 |
| 286917 | 可渗透基区 |
| 286918 | 里德二极管 |
| 286919 | 连续性方程 |
| 286920 | 连续性条件 |
| 286921 | 曼彻斯特码 |
| 286922 | 密堆积结构 |
| 286923 | 模拟比较器 |
| 286924 | 能级深陷阱 |
| 286925 | 平均自由程 |
| 286926 | 平面晶体管 |
| 286927 | 前置放大器 |
| 286928 | 箝位二极管 |
| 286929 | 闪烁存储器 |
| 286930 | 少数载流子 |
| 286931 | 射频微电子 |
| 286932 | 深施主能级 |
| 286933 | 深受主能级 |
| 286934 | 时钟触发器 |
| 286935 | 时钟发生器 |
| 286936 | 数据转换器 |
| 286937 | 双极晶体管 |
| 286938 | 太阳能电池 |
| 286939 | 体立心结构 |
| 286940 | 铜互连系统 |
| 286941 | 线性鉴相器 |
| 286942 | 肖特基接触 |
| 286943 | 肖特基势垒 |
| 286944 | 芯片成品率 |
| 286945 | 行为级模型 |
| 286946 | 延时锁相环 |
| 286947 | 氧化层钝化 |
| 286948 | 异质结结构 |
| 286949 | 铟锡氧化物 |
| 286950 | 隐埋扩散区 |
| 286951 | 印制电路板 |
| 286952 | 有机半导体 |
| 286953 | 有源放大区 |
| 286954 | 余误差函数 |
| 286955 | 元素半导体 |
| 286956 | 运算放大器 |
| 286957 | 杂质半导体 |
| 286958 | 载波进位位 |
| 286959 | 增强型模式 |
| 286960 | 主从触发器 |
| 286961 | 准费米能级 |
| 286962 | 爱因斯坦关系 |
| 286963 | 场效应晶体管 |
| 286964 | 单位增益频率 |
| 286965 | 电荷泵锁相环 |
| 286966 | 电子俘获中心 |
| 286967 | 定制集成电路 |
| 286968 | 发射极耦合对 |
| 286969 | 非接触式掩模 |
| 286970 | 非线性鉴相器 |
| 286971 | 辐射加固器件 |
| 286972 | 辐射通量密度 |
| 286973 | 概率密度函数 |
| 286974 | 高斯掺杂分布 |
| 286975 | 光耦合隔离器 |
| 286976 | 化合物半导体 |
| 286977 | 化学机械抛光 |
| 286978 | 基区渡越时间 |
| 286979 | 基区宽度调制 |
| 286980 | 基区扩展效应 |
| 286981 | 基区输运系数 |
| 286982 | 集成注入逻辑 |
| 286983 | 结型场效应管 |
| 286984 | 晶片波动方程 |
| 286985 | 聚合物半导体 |
| 286986 | 可擦取存储器 |
| 286987 | 脉冲宽度调制 |
| 286988 | 频率漂移噪声 |
| 286989 | 频率响应函数 |
| 286990 | 平均工作时间 |
| 286991 | 三角波发生器 |
| 286992 | 梳状发射极结 |
| 286993 | 输出电压摆幅 |
| 286994 | 输入失调电压 |
| 286995 | 速度功耗乘积 |
| 286996 | 温差电动势率 |
| 286997 | 肖克莱二极管 |
| 286998 | 永久存储电路 |
| 286999 | 有源区有源元 |
| 287000 | 质量守恒定律 |
| 287001 | 周期周期抖动 |
| 287002 | 闭环增益集电极 |
| 287003 | 发射极集边效应 |
| 287004 | 发射极耦合逻辑 |
| 287005 | 费米狄拉克分布 |
| 287006 | 过度金属硅化物 |
| 287007 | 互补达林顿电路 |
| 287008 | 镜象力碰撞电离 |
| 287009 | 偶极层直接耦合 |
| 287010 | 切克劳斯基技术 |
| 287011 | 时钟与数据恢复 |
| 287012 | 双列直插式封装 |
| 287013 | 微分电容扩散结 |
| 287014 | 卧式外延反应器 |
| 287015 | 直接带隙半导体 |
| 287016 | 自举射极跟随器 |
| 287017 | 阻抗不完整结构 |
| 287018 | 电荷电荷补偿效应 |
| 287019 | 二元化合物半导体 |
| 287020 | 液相外延生长技术 |
| 287021 | 异质结双极型晶体 |
| 287022 | 一次性电可擦除只读存储器 |
| 287023 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| 287024 | 互补金属氧化物半导体场效应晶体管 |
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滇ICP备17008350号-1
 滇公网安备53010202002185号
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